MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR392DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
204-7234
Nº ref. fabric.:
SIDR392DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiDR392DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.62mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

188nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 30 V (D-S) tiene una función de refrigeración del lado Top que proporciona un lugar adicional para transferencia térmica. Tiene una relación QG, Qgd y Qgd/QGS optimizada que reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación.

100 % RG y prueba UIS

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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