MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
178-3934
Nº ref. fabric.:
SiDR392DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900μΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5 mm

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

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