MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiR188DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3895
Nº ref. fabric.:
SiR188DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.99mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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