MOSFET, N-Canal Vishay SiR626ADP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 165 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 204-7200
- Nº ref. fabric.:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
16,32 €
(exc. IVA)
19,75 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de mayo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,632 € | 16,32 € |
| 50 - 90 | 1,306 € | 13,06 € |
| 100 - 240 | 1,142 € | 11,42 € |
| 250 - 490 | 1,026 € | 10,26 € |
| 500 + | 1,001 € | 10,01 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7200
- Nº ref. fabric.:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 165A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SiR626ADP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.26mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.25mm | |
| Anchura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 165A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SiR626ADP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.26mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.25mm | ||
Anchura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) está sintonizado para el FOM RDS - QOSS más bajo.
Potencia de encapsulado PAK SO-8
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines