MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR180ADP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 137 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5001
- Nº ref. fabric.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
12,42 €
(exc. IVA)
15,03 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1125 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,484 € | 12,42 € |
| 50 - 120 | 2,236 € | 11,18 € |
| 125 - 245 | 1,788 € | 8,94 € |
| 250 - 495 | 1,516 € | 7,58 € |
| 500 + | 1,436 € | 7,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-5001
- Nº ref. fabric.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiR180ADP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiR180ADP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja
Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja
100 % RG y prueba UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines