MOSFET, N-Canal Vishay SIDR680ADP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 204-7258
- Nº ref. fabric.:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Consigue un descuento por cantidad
Añade 50 más para ahorrar un 20%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
25,70 €
(exc. IVA)
31,10 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 16 de julio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,57 € | 25,70 € | - |
| 50 - 90 | 2,053 € | 20,53 € | 20% |
| 100 - 240 | 1,832 € | 18,32 € | 28% |
| 250 - 490 | 1,786 € | 17,86 € | 30% |
| 500 + | 1,74 € | 17,40 € | 32% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7258
- Nº ref. fabric.:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiDR680ADP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.88mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 510μm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiDR680ADP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.88mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 510μm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS - QG muy baja y está sintonizado para el FOM RDS - QOSS más bajo.
100 % RG y prueba UIS
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines