MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 137 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
210-5000
Nº ref. fabric.:
SiR180ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

137A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR180ADP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

83.3W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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