MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9950
Nº ref. fabric.:
SIR5607DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SiR

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.007Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

112nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Menos caída de tensión

Reduce la pérdida de conducción

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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