MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3875
Nº ref. fabric.:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

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