MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 77.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2905
Nº ref. fabric.:
SiR570DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

77.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 150 V.

100 % Rg y UIS probados

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