MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 67.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5006
- Nº ref. fabric.:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 210-5006
- Nº ref. fabric.:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiR882BDP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiR882BDP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
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