MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 430 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
210-4998
Nº ref. fabric.:
SIR178DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

430A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.31mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

204nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.26 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 20 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8 con una corriente de drenaje de 430 A.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

El liderazgo RDS(ON) minimiza la pérdida de potencia de conducción

Valores nominales de 2,5 V y funcionamiento en accionamiento de puerta de baja tensión

100 % RG y prueba UIS

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