MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR626LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 204 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
210-4957
Nº ref. fabric.:
SiDR626LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

204A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiDR626LDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.51mm

Longitud

5.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8DC.

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja

Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja

100 % RG y prueba UIS

Refrigeración por la parte superior para habilitar una opción más para transferencia térmica

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