MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR178DP-T1-RE3, VDSS 20 V, ID 430 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,59 €

(exc. IVA)

15,235 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,518 €12,59 €
50 - 1202,266 €11,33 €
125 - 2451,812 €9,06 €
250 - 4951,486 €7,43 €
500 +1,336 €6,68 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-4999
Nº ref. fabric.:
SIR178DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

430A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.31mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

204nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 20 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8 con una corriente de drenaje de 430 A.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

El liderazgo RDS(ON) minimiza la pérdida de potencia de conducción

Valores nominales de 2,5 V y funcionamiento en accionamiento de puerta de baja tensión

100 % RG y prueba UIS

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.