MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5108DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9942
- Nº ref. fabric.:
- SIR5108DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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10,69 €
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12,935 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,138 € | 10,69 € |
| 50 - 95 | 2,05 € | 10,25 € |
| 100 - 245 | 1,82 € | 9,10 € |
| 250 - 995 | 1,786 € | 8,93 € |
| 1000 + | 1,75 € | 8,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9942
- Nº ref. fabric.:
- SIR5108DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SiR | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0105Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SiR | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0105Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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