MOSFET, N-Canal Vishay SiR450DP-T1-RE3, VDSS 45 V, ID 113 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2899
Nº ref. fabric.:
SiR450DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

113A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

45V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 45 V.

100 % Rg y UIS probados

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