MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 65.8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
200-6865
Nº ref. fabric.:
SiR106ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SiR106ADP-T1-RE3 es un MOSFET de canal N 100V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja

Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja

100 % Rg y prueba UIS

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