MOSFET, N-Canal Vishay SiR106ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65.8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 200-6863
- Nº ref. fabric.:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.523,00 €
(exc. IVA)
3.054,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 18 de octubre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,841 € | 2.523,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6863
- Nº ref. fabric.:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiR106ADP-T1-RE3 es un MOSFET de canal N 100V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja
Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja
100 % Rg y prueba UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, SO-8 de 8 pines