MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR510DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 126 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2904
Nº ref. fabric.:
SiR510DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 100 V.

100 % Rg y UIS probados

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