MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 70.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2913
Nº ref. fabric.:
SiR880BDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

71.4W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 80 V.

100 % Rg y UIS probados

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