MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SIR182LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 130 A, PowerPAK SO-8, Reducción de 8 pines

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Código RS:
239-8641
Nº ref. fabric.:
SIR182LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00315Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 60 V. Este MOSFET se utiliza para fuente de alimentación, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

Resistencia muy baja

Probado por UIS

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