MOSFET Vishay, N-Canal SIR182LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 130 A, PowerPAK SO-8, Reducción de 8 pines

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Código RS:
239-8641
Nº ref. fabric.:
SIR182LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

60 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

130 A

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Modo de canal

Reducción

Número de pines

8

Estándar de automoción

AEC-Q101

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.00315 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

125 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

83 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

56 nC

Anchura

5.15 mm

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

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