MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS32LDN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 653-103
Nº ref. fabric.:: SISS32LDN-T1-BE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS32LDN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.986,00 €

(exc. IVA)

2.403,00 €

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,662 €	1.986,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 653-103
Nº ref. fabric.:: SISS32LDN-T1-BE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET sencillos
	Corriente continua máxima de drenaje ld	63A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	PowerPAK
	Serie	SISS32LDN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0072Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17.7nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	65.7W
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.3mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	0.75mm
	Longitud	3.3mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET sencillos
	Corriente continua máxima de drenaje ld 63A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado PowerPAK
	Serie SISS32LDN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0072Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.7nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 65.7W
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.3mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 0.75mm
	Longitud 3.3mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SISS32LDN-T1-BE3

COO (País de Origen):: TH

MOSFET simples serie SISS32LDN de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 63 A - SISS32LDN-T1-BE3

Este dispositivo MOSFET simple es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en electrónica industrial. Funciona como un MOSFET de modo de mejora adecuado para aplicaciones de accionamiento y conmutación en las que se requiere una tensión de fuente de drenaje elevada y un manejo de corriente robusto. El componente se suministra en un encapsulado PowerPAK compacto diseñado para montaje SMD y cumple los requisitos RoHS.

Características y ventajas:

• La capacidad nominal de drenaje-fuente de 80 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 63 A admite conducción de cargas pesadas • La baja RDS(on) de 0,0072 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga • La disipación de potencia de 65,7 W permite un rendimiento térmico sostenido • La carga de puerta típica de 17,7 nC proporciona energía de conmutación controlada • La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C permite un funcionamiento a altas temperaturas

Aplicaciones

• Apto para etapas de medio puente de accionamiento de motor en sistemas de automatización • Ideal para convertidores dc-dc en módulos de distribución de potencia • Se utiliza para conmutación de carga en equipos de control industrial • Se puede utilizar para gestión de baterías y distribución de alta corriente

¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?

La tensión de puerta a fuente no debe superar ±20 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta.

¿Qué consideraciones térmicas se aplican durante el diseño de PCB?

Dado el valor nominal de disipación de 65,7 W, los diseñadores deben proporcionar un área de cobre y vias térmicas suficientes para la propagación del calor y conectarse a un plano de disipación térmica cuando sea necesario.

¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a las emisiones electromagnéticas?

La carga de puerta de 17,7 nC influye en los tiempos de subida y bajada

el control de velocidades de bajada de accionamiento de puerta y la adición de atenuadores ayudan a gestionar transitorios de conmutación y EMI.

¿Qué condiciones ambientales extremas puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?

Está especificado para usar hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión para una amplia compatibilidad ambiental.