MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS32LDN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-103
Nº ref. fabric.:
SISS32LDN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SISS32LDN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET Gen IV de Vishay tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 80 V. Envasado en un PowerPAK 1212-8S compacto, es ideal para convertidores dc/dc, rectificación síncrona, control de motores y conmutación de batería/carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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