MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 42.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-133
Nº ref. fabric.:
SISS5812DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SISS5812DN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0135Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

44.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.83mm

Longitud

3.40mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.40 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen V tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 80 V. Envasado en un PowerPAK 1212-8S compacto, es ideal para soluciones de alimentación de servidor AI, convertidores dc/dc y conmutación de carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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