MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 172 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-149
- Nº ref. fabric.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 172A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | SISS5208DN | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0013Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.83mm | |
| Longitud | 3.40mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.40mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 172A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie SISS5208DN | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0013Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.83mm | ||
Longitud 3.40mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.40mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET simples serie SISS5208DN de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 172 A - SISS5208DN-T1-GE3
Este MOSFET simple es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos de alimentación compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación rápida y una capacidad de drenaje continuo sustancial al tiempo que mantiene un comportamiento térmico eficiente.
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua 172 A permite un manejo de alta carga • La calificación de drenaje-fuente de 20 V admite carriles de alimentación de baja tensión • La Rds(on) de 0,0013 Ω reduce las pérdidas por conducción • La carga de puerta de 24,6 nC permite una dinámica de conmutación controlada • La disipación de potencia de 56,8 W gestiona la tensión térmica bajo carga • La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C permite un uso en entornos elevados
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motores en equipos de automatización • Ideal para convertidores dc-dc de alta corriente en fuentes de alimentación • Se utiliza para conmutación de carga en paneles de control industriales • Se puede utilizar para etapas de salida de puente en H en robótica • Se utiliza con matrices MOSFET de alta potencia en módulos de inversor
¿Qué rango de tensión de puerta debo planificar en el diseño de controlador de puerta?
El dispositivo acepta tensiones de fuente de puerta de hasta 8 V, por lo que un controlador de puerta que proporciona Vgs dentro de este límite garantizará un funcionamiento seguro.
¿Cómo afecta el encapsulado al diseño de la placa de circuito impreso y a las vías térmicas?
El encapsulado de montaje en superficie PowerPAK concentra conexiones térmicas y eléctricas en un tamaño pequeño, por lo que se recomiendan fundiciones de cobre y vias térmicas para disipar la pérdida de potencia de 56,8 W del dispositivo.
¿Qué condiciones ambientales son admisibles para un funcionamiento fiable?
El componente está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en rangos de temperaturas industriales exigentes.
¿Cómo deben tenerse en cuenta las corrientes de irrupción o transitorias en el diseño?
Con un Rds(on) bajo de 0,0013Ω y una alta capacidad de corriente continua, la tensión transitoria debe evaluarse frente a las capacidades de transitorios y los valores nominales de corriente de traza de PCB para evitar sobretensión.
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