MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 81 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,36 €

(exc. IVA)

0,44 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 240,36 €
25 - 990,32 €
100 - 4990,29 €
500 - 9990,25 €
1000 +0,23 €

*precio indicativo

Código RS:
653-145
Nº ref. fabric.:
SIRA12DDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIRA12DDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0036Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.04mm

Longitud

5.15mm

Anchura

6.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El MOSFET de canal N de Vishay está optimizado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados