MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIRA12DDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 81 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-144
Nº ref. fabric.:
SIRA12DDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SIRA12DDP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0036Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.15 mm

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El MOSFET de canal N de Vishay está optimizado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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