MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR870BDP-T1-UE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-199
Nº ref. fabric.:
SIR870BDP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR870BDP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0061Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Altura

0.61mm

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y rendimiento térmico optimizado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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