MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS5812DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 42.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.311,00 €

(exc. IVA)

1.587,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,437 €1.311,00 €

*precio indicativo

Código RS:
653-132
Nº ref. fabric.:
SISS5812DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

42.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SISS5812DN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0135Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

44.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.40 mm

Altura

0.83mm

Longitud

3.40mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen V tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 80 V. Envasado en un PowerPAK 1212-8S compacto, es ideal para soluciones de alimentación de servidor AI, convertidores dc/dc y conmutación de carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados