MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS32ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
210-5014
Nº ref. fabric.:
SiSS32ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS32ADN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Altura

0.83mm

Anchura

3.4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S con corriente de drenaje de 63 A.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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