MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-104
- Nº ref. fabric.:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SISS32LDN | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0072Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SISS32LDN | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0072Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
MOSFET simples serie SISS32LDN de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 63 A - SISS32LDN-T1-BE3
Este dispositivo MOSFET simple es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en electrónica industrial. Funciona como un MOSFET de modo de mejora adecuado para aplicaciones de accionamiento y conmutación en las que se requiere una tensión de fuente de drenaje elevada y un manejo de corriente robusto. El componente se suministra en un encapsulado PowerPAK compacto diseñado para montaje SMD y cumple los requisitos RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad nominal de drenaje-fuente de 80 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 63 A admite conducción de cargas pesadas • La baja RDS(on) de 0,0072 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga • La disipación de potencia de 65,7 W permite un rendimiento térmico sostenido • La carga de puerta típica de 17,7 nC proporciona energía de conmutación controlada • La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C permite un funcionamiento a altas temperaturas
Aplicaciones
• Apto para etapas de medio puente de accionamiento de motor en sistemas de automatización • Ideal para convertidores dc-dc en módulos de distribución de potencia • Se utiliza para conmutación de carga en equipos de control industrial • Se puede utilizar para gestión de baterías y distribución de alta corriente
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión de puerta a fuente no debe superar ±20 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta.
¿Qué consideraciones térmicas se aplican durante el diseño de PCB?
Dado el valor nominal de disipación de 65,7 W, los diseñadores deben proporcionar un área de cobre y vias térmicas suficientes para la propagación del calor y conectarse a un plano de disipación térmica cuando sea necesario.
¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a las emisiones electromagnéticas?
La carga de puerta de 17,7 nC influye en los tiempos de subida y bajada
el control de velocidades de bajada de accionamiento de puerta y la adición de atenuadores ayudan a gestionar transitorios de conmutación y EMI.
¿Qué condiciones ambientales extremas puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está especificado para usar hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión para una amplia compatibilidad ambiental.
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