MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SISS178LDN-T1-BE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, N, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
851-509
Nº ref. fabric.:
SISS178LDN-T1-BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.013Ω

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.05mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101 Qualified

Altura

1.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay ofrece alta eficiencia en la gestión de potencia, con una estructura robusta que admite diversas demandas eléctricas en aplicaciones electrónicas avanzadas.

Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de 70 V, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas aplicaciones

Presenta una baja resistencia de encendido con un máximo de 0,0109 Ω a 4,5 V, lo que mejora la eficiencia energética

Diseñado para manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 42,3 A, lo que admite operaciones de alta potencia

Incorpora un valor nominal de avalancha de pulso único de 15 A, lo que protege contra transitorios de tensión

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