MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SIR178DP-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-502
- Nº ref. fabric.:
- SIR178DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-502
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- SIR178DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0029Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0029Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Longitud 6.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la energía. Su función principal es optimizar la conducción con baja pérdida de potencia, lo que lo convierte en adecuado para diversas aplicaciones de potencia.
La tecnología TrenchFET Gen IV garantiza un rendimiento superior
La resistencia en estado activo extremadamente baja minimiza las pérdidas por conducción
Admite accionamiento de puerta de baja tensión para mejorar la eficiencia
Completamente probado para la fiabilidad en condiciones R y UIS
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