MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SIR692DP-T1-BE3, VDSS 250 V, ID 20 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-504
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-504
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.067Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.067Ω | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 6.05mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversos sistemas electrónicos, lo que garantiza fiabilidad y precisión en aplicaciones de conmutación.
Utiliza tecnología ThunderFET para un equilibrio óptimo de RDS(on), Qg, Qsw y Qoss
Probado al 100 % Rg y UIS garantizado para mayor fiabilidad
Admite una tensión máxima de drenaje-fuente de 250 V
La resistencia de conexión mínima de 0,063 Ω a VGS de 10 V garantiza una baja pérdida de potencia
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