MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SIR692DP-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 100 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-506
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
2,68 €
(exc. IVA)
3,24 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,68 € |
| 10 - 99 | 1,74 € |
| 100 - 499 | 1,19 € |
| 500 - 999 | 0,97 € |
| 1000 + | 0,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 851-506
- Nº ref. fabric.:
- SIR692DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0048Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0048Ω | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 6.05mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de alto rendimiento de Vishay está diseñado para capacidades de conmutación eficientes en aplicaciones de gestión de potencia. Su estructura robusta garantiza fiabilidad y funcionalidad óptima en diversos entornos exigentes.
Configuración de canal N que proporciona una eficiencia operativa superior
La tecnología ThunderFET mejora el rendimiento al optimizar el equilibrio de resistencia de conexión y características de conmutación
Ofrece una tensión máxima de drenaje-fuente de 250 V, lo que garantiza la idoneidad para aplicaciones de alta tensión
Diseñado con una corriente de drenaje continua máxima de 24,2 A, que se adapta a condiciones de carga extensas
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 250 V N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 80 V N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines