MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5110DN, VDSS 100 V, ID 55 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

1,92 €

(exc. IVA)

2,32 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 28 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +1,92 €

*precio indicativo

Código RS:
735-132
Nº ref. fabric.:
SiSD5110DN
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiS

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

100V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1mm

Longitud

4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia TrenchFET Gen V de canal N de Vishay está optimizado para conmutación de baja pérdida en soluciones de servidor de potencia de IA y fuentes de alimentación de alta densidad. Alcanza una tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V con una resistencia de conexión excepcionalmente baja de 9,5 mΩ máximo a 10 V de accionamiento de puerta para minimizar las pérdidas de conducción.

Corriente de drenaje continua de 55 A a TC=25 °C

Disipación de potencia máxima de 57 W

Baja carga de puerta total de 29 nC máximo

Enlaces relacionados