MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5806DN, VDSS 80 V, ID 64 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
735-136
Nº ref. fabric.:
SiSD5806DN
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0069Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

80V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1mm

Anchura

4mm

Longitud

4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 80 V, diseñado específicamente para un funcionamiento de baja pérdida en soluciones de servidor de potencia de IA y convertidores dc/dc de alta eficiencia.

Corriente de drenaje continua de 64 A a TC=25 °C

Disipación de potencia máxima de 57 W

Carga de puerta total máxima de 33 nC

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