MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQS484CENW-T1_BE3, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines

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Código RS:
735-126
Nº ref. fabric.:
SQS484CENW-T1_BE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQS484CENW

Encapsulado

POWERPAK 1212-8W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de automoción, garantizando una conmutación de alta velocidad fiable con baja resistencia de conexión, lo que lo convierte en muy eficiente para diversas tareas de gestión de potencia.

Capaz de manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 16 A

Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 a +175 °C

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