MOSFET, N-Canal Vishay SQS484CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
200-6851
Nº ref. fabric.:
SQS484CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SQS484CENW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.4mm

Anchura

1.12mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay SQS484CENW-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Certificación AEC-Q101

100 % Rg y prueba UIS

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