MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 200-6851
- Nº ref. fabric.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 200-6851
- Nº ref. fabric.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Vishay SQS484CENW-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET®
Certificación AEC-Q101
100 % Rg y prueba UIS
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