MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9525
- Nº ref. fabric.:
- SQS462EN-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 787-9525
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- SQS462EN-T1_GE3
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 135mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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