Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 787-9525
Nº ref. fabric.:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:: 787-9525
Nº ref. fabric.:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	135mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.82V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8nC
	Disipación de potencia máxima Pd	33W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	3.4mm
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.82V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC
	Disipación de potencia máxima Pd 33W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 3.4mm
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101