MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS660CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
228-2968
Nº ref. fabric.:
SQS660CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 60 V.

100 % Rg y UIS probados

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