MOSFET, N-Canal Vishay SQSA12CENW-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
228-2969
Nº ref. fabric.:
SQSA12CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 100 V.

100 % Rg y UIS probados

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