MOSFET, N-Canal Vishay SQS486CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
228-2964
Nº ref. fabric.:
SQS486CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

790mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

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