MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS484CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
200-6850
Nº ref. fabric.:
SQS484CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQS484CENW

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay SQS484CENW-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Certificación AEC-Q101

100 % Rg y prueba UIS

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