MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5300DN, VDSS 30 V, ID 198 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
735-152
Nº ref. fabric.:
SiSD5300DN
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

198A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiS

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00087Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

30V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Longitud

4mm

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

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