MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5300DN, VDSS 30 V, ID 198 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
735-152
Nº ref. fabric.:
SiSD5300DN
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

198A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00087Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión directa Vf

30V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4mm

Longitud

4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

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