MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQS840CENW-T1_BE3, VDSS 40 V, ID 12 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- Código RS:
- 735-127
- Nº ref. fabric.:
- SQS840CENW-T1_BE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
0,58 €
(exc. IVA)
0,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 05 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,58 € |
| 25 - 99 | 0,38 € |
| 100 + | 0,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-127
- Nº ref. fabric.:
- SQS840CENW-T1_BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | POWERPAK 1212-8W | |
| Serie | SQS840CENW | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.02Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado POWERPAK 1212-8W | ||
Serie SQS840CENW | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.02Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece una funcionalidad de conmutación eficiente y de alto rendimiento adaptada a aplicaciones de automoción, lo que proporciona un funcionamiento fiable en condiciones exigentes.
La tecnología TrenchFET garantiza un excelente rendimiento térmico
Certificación AEC-Q101 conforme a estrictos estándares de automoción
La baja resistencia de conexión admite alta eficiencia de corriente
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines