MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISF12EDN-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 85 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
735-237
Nº ref. fabric.:
SISF12EDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Disipación de potencia máxima Pd

69.4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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