MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

0,74 €

(exc. IVA)

0,90 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 16 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 240,74 €
25 - 990,49 €
100 +0,25 €

*precio indicativo

Código RS:
735-266
Nº ref. fabric.:
SISH521EDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.006Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

102nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

0.98mm

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados