MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines

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Código RS:
735-266
Nº ref. fabric.:
SISH521EDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.006Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

102nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.4mm

Altura

0.98mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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