MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 104 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines

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Código RS:
239-5398
Nº ref. fabric.:
SISA10BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SIS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8PT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0036Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 104 A. Se utiliza para dc/dc de alta densidad de potencia, la rectificación síncrona, VRM y dc/dc integrados, la protección de batería

Probado al 100 % Rg y UIS

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