MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 104 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- Código RS:
- 239-5398
- Nº ref. fabric.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 239-5398
- Nº ref. fabric.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SISA10BDN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8PT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0036Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SISA10BDN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8PT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0036Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SISA10BDN de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 104 A - SISA10BDN-T1-GE3
Características y ventajas:
• La calificación de drenaje-fuente de 30 V admite carriles de alimentación de baja tensión
• La Rds(on) de 0,0036 Ω reduce las pérdidas por conducción y la generación de calor
• La carga de puerta de 11,7 nC permite un accionamiento de puerta y un control de conmutación eficientes
• La disipación de potencia de 63 W admite una carga térmica significativa
• La tensión de fuente de puerta máxima de 20 V protege la puerta contra sobreaccionamiento
Aplicaciones
• Ideal para salidas de convertidor dc-dc de alta corriente
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutación de carga en controladores industriales
• Se utiliza con módulos de alimentación compactos que requieren montaje SMD
¿Qué temperaturas extremas puede soportar el dispositivo durante el funcionamiento?
¿Para qué tipo de encapsulado deben permitir los diseñadores el espacio de huella?
¿Cómo se comporta el componente térmicamente en condiciones de alta potencia?
¿Es adecuado donde la certificación de automoción es obligatoria?
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de la puerta son necesarias para evitar daños?
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