MOSFET, N-Canal Vishay SISA10BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 104 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- Código RS:
- 239-5398
- Nº ref. fabric.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
6,75 €
(exc. IVA)
8,17 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6030 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,675 € | 6,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-5398
- Nº ref. fabric.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8PT | |
| Serie | SISA10BDN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0036Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Altura | 750μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8PT | ||
Serie SISA10BDN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0036Ω | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.3mm | ||
Altura 750μm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SISA10BDN de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 104 A - SISA10BDN-T1-GE3
Este MOSFET de canal n es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para entornos térmicos exigentes donde se requiere una conducción eficiente y una respuesta de puerta rápida. El dispositivo se ofrece en un encapsulado de perfil bajo optimizado para el montaje en placas densamente pobladas.
Características y ventajas:
• La resistencia de conexión muy baja de 0,0036 Ω permite reducir las pérdidas por conducción
• La alta corriente de drenaje continua de 104 A admite conmutación de carga pesada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 30 V permite diseños de alimentación de baja tensión
• La carga de puerta típica de 11,7 nC proporciona transiciones de accionamiento de puerta más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 63 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La resistencia de fuente de puerta de 20 V proporciona espacio para diferentes tensiones de accionamiento
• La alta corriente de drenaje continua de 104 A admite conmutación de carga pesada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 30 V permite diseños de alimentación de baja tensión
• La carga de puerta típica de 11,7 nC proporciona transiciones de accionamiento de puerta más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 63 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La resistencia de fuente de puerta de 20 V proporciona espacio para diferentes tensiones de accionamiento
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación de regulador reductor síncrono
• Ideal para medios puentes de controlador de motor en inversores compactos
• Se utiliza con interruptores de carga de alta corriente en carriles de alimentación de servidor
• Puede utilizarse para la gestión de baterías en sistemas de alto consumo
• Adecuado para relés de estado sólido y módulos de potencia de estilo automovilístico
• Ideal para medios puentes de controlador de motor en inversores compactos
• Se utiliza con interruptores de carga de alta corriente en carriles de alimentación de servidor
• Puede utilizarse para la gestión de baterías en sistemas de alto consumo
• Adecuado para relés de estado sólido y módulos de potencia de estilo automovilístico
¿Qué método de montaje es necesario para un montaje fiable?
Se trata de un componente de montaje en superficie en formato PowerPAK 1212-8PT, diseñado para soldadura por reflujo en PCB diseñada para contacto térmico y eléctrico.
¿Cómo afecta la temperatura ambiente a la capacidad de funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite el funcionamiento en entornos de temperatura inferior a cero y elevada con una gestión térmica adecuada.
¿Qué tipo de canal de conducción utiliza?
Emplea un canal de tipo N, que es adecuado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta corriente.
¿El dispositivo cumple las restricciones ambientales?
Cumple los requisitos RoHS, lo que indica que no contiene sustancias peligrosas restringidas conforme a la norma.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines