- Código RS:
- 239-5400
- Nº ref. fabric.:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
5990 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,767 €
(exc. IVA)
0,928 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
10 - 90 | 0,767 € | 7,67 € |
100 - 490 | 0,72 € | 7,20 € |
500 - 990 | 0,652 € | 6,52 € |
1000 - 2490 | 0,614 € | 6,14 € |
2500 + | 0,575 € | 5,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-5400
- Nº ref. fabric.:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 87 A. Se utiliza para dc/dc de alta densidad de potencia, la rectificación síncrona, VRM y dc/dc integrados, la protección de batería
Probado al 100 % Rg y UIS
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 87 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | PowerPAK 1212-8PT |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
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