MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSA12BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 87 A, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines

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Código RS:
239-5399
Nº ref. fabric.:
SiSA12BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SIS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8PT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0043Ω

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

0.75mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 87 A. Se utiliza para dc/dc de alta densidad de potencia, la rectificación síncrona, VRM y dc/dc integrados, la protección de batería

Probado al 100 % Rg y UIS

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